- Nicht-flüchtiger Speicher, der Daten ohne Strom behält.
- Daten werden bei der Herstellung geschrieben.
- Nachträgliche Änderungen sind nicht möglich.
- Einsatzgebiet: Firmware in Geräten wie Druckern, Routern oder dem BIOS/UEFI.
- Einmal programmierbare Variante von ROM.
- Kann vom Benutzer einmalig beschrieben werden.
- Nach dem Programmieren nicht mehr änderbar.
- Einsatzgebiet: Gerätekonfigurationen oder Hersteller-spezifische Hardwareanpassungen.
- Lösch- und wiederprogrammierbarer Speicher.
- Löschen erfolgt durch UV-Licht.
- Erfordert spezielle Geräte zum Löschen und Programmieren.
- Einsatzgebiet: Entwicklung und Test von Firmware vor der Serienproduktion.
- Elektrisch lösch- und programmierbar.
- Muss nicht aus dem Computer entfernt werden.
- Bequeme Programmierung direkt im System möglich.
- Einsatzgebiet: Speichern kleiner Konfigurationsdaten in Mikrocontrollern (z.B. Geräteeinstellungen).
- Spezielle Form von EEPROM.
- Wird in Blöcken gelöscht und beschrieben.
- Häufig in USB-Sticks, SSDs, Speicherkarten.
- Einsatzgebiet: Massenspeicher für mobile Geräte, PCs, Kameras.
- Flüchtiger Speicher; behält Daten nur bei Stromversorgung.
- Sehr schnell, aber teuer.
- Wird typischerweise als Cache verwendet.
- Einsatzgebiet: CPU-Caches (L1, L2, L3) für schnelle Datenzugriffe.
- Flüchtiger Speicher und typischer Hauptspeicher.
- Muss regelmäßig aufgefrischt werden.
- Langsamer, aber günstiger als SRAM.
- Einsatzgebiet: Arbeitsspeicher (RAM) in PCs, Laptops, Konsolen und Servern.
flowchart TD
A{Volatil?}
A --> |Nein| B{Beschreibbar?}
B --o |Nicht beschreibbar| D[ROM]
B --> |Beschreibbar| EE{Wie oft <br> beschreibbar}
EE --o |Einmal| PROM[PROM]
EE --> |Mehrmals| E{Löschung <br> durch}
E --o |UV-Licht| F[EPROM]
E --> |elektrisch| G{Kapazität}
G --o |Gering| J[EEPROM]
G --o |Hoch| I[FLASH]
A --> |Ja| C{Statisch/ Dynamisch?}
C --> |Statisch| C2[SRAM]
C --> |Dynamisch| C3[DRAM]
C2 --o C22[L1,L2,L3 ]
C3 --o C32[RAM]